Seulas laikraksts: Samsung Nvidia HBM atmiņai izmantos TSMC 3 nm procesu

Dienvidkorejas Samsung Electronics Nvidia nākamās paaudzes pielāgotās augstas caurlaidības atmiņas (HBM) pamatkristālu jeb base die ražos, izmantojot Taivānas TSMC 3 nanometru procesu. Par to svētdien, 18. oktobrī, ziņoja laikraksts Seoul Economic Daily, atsaucoties uz nozares avotiem, un ziņu tālāk izplatīja aģentūra Reuters. Uzņēmumu oficiāls paziņojums rakstā nav minēts.

Pamatkristāls ir HBM atmiņas steka apakšējais loģikas slānis, kas savieno virs tā izvietotos atmiņas slāņus ar procesoru. Līdz šim Samsung visai savai HBM produkcijai pats ražoja gan atmiņas slāņus (core die), gan pamatkristālu, piedāvājot klientiem tā saukto pilna cikla jeb turnkey risinājumu. Ja ziņa apstiprināsies, tā būs pirmā reize, kad Samsung un TSMC, kas pusvadītāju pasūtījuma ražošanā ir konkurenti, sadarbojas jau HBM ražošanas posmā. Laikraksts atgādina, ka pirms četriem gadiem abi uzņēmumi strādājuši kopā tikai pie HBM savietojamības ar TSMC iepakošanas procesu.

Pēc laikraksta ziņām, Nvidia lūgusi visus trīs NVHBM piegādātājus – Samsung, SK hynix un Micron – pamatkristālu ražot ar TSMC 3 nm procesu, bet atmiņas slāņiem izmantot sestās paaudzes DRAM procesu, ko dēvē par 1c. Iemesls ir vienveidība: ja katrs piegādātājs atmiņu ražo citādi, ir grūtāk nodrošināt vienādu veiktspēju vienam dizainam, un katra ražotāja produkcija būtu jāpārbauda atsevišķi. Samsung pusvadītāju nodaļa Device Solutions Nvidia prasību pieņēmusi pēc iekšējas izvērtēšanas.

Pārējā biznesā Samsung paliks pie sava modeļa. Standarta HBM4, ko uzņēmums masveidā ražo kopš šī gada sākuma, un HBM4E, kas vēl iziet masveida ražošanas pārbaudes, pamatkristāls tiek ražots Samsung rūpnīcās ar 4 nm procesu. Tāpat pašu spēkiem tiks gatavota pielāgotā HBM citiem klientiem, tostarp AMD. Kāds nozares pārstāvis laikrakstam teicis, ka Samsung pārbauda, vai NVHBM pamatkristālu varētu ražot arī savās rūpnīcās, ja pieprasījums pārsniegs TSMC jaudas.

NVHBM Nvidia paziņoja 26. augustā kā daļu no programmas NVLink Fusion, kas ļauj citiem uzņēmumiem savus MI čipus savienot ar Nvidia sistēmām. Tehnoloģijas būtība ir pārcelt atmiņas kontrolieri no procesora kristāla uz HBM steka pamatkristālu. Nvidia sola līdz 30 % lielāku atmiņas caurlaidību un par 15 % mazāku HBM enerģijas patēriņu, kā arī līdz 25 % vairāk vietas skaitļošanai uz procesora kristāla, salīdzinot ar standarta HBM4E. Pirmais nosauktais sadarbības partneris ir Amazon čipu izstrādes vienība Annapurna Labs.

Tom's Hardware uzsver, ka NVHBM nav parastās HBM aizstājējs, bet gan papildu risinājums uzņēmumiem, kas kopā ar Nvidia veido pielāgotus čipus. Nvidia paziņojumā teikts, ka tā izveido vienotu NVHBM ieviešanas standartu, ko piedāvās vairāki atmiņas ražotāji, lai klientiem nebūtu katra piegādātāja atmiņa jāintegrē un jāpārbauda no jauna.